▲ 최선단 14나노 D램 양산 <사진=삼성전자>

[경제&=온라인팀] 삼성전자가 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

이번 D램 양산은 지난해 3월 업계 최초 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 공급 햇으며, 업계 유일 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D렘을 구현했다.

이에 삼성전자는 반도체 회로를 보다 세미하게 구현한 5개의 레이어에EUV 공정이 적용된 기술을 적용 선능과 수율을 향상시킬 계획이며, 14나노 D램을 웨이퍼에 적용 이전 세대 대비 생산성을 약 20% 향상됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정에 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 적용 5G·AI·메타버스·기업용 등 빅데이터 시대 최고의 메모리 솔루션 될 것 기대하고 있다.

DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 속도를 가지고 있으며, 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 늘어 날 것으로 보고 있다.

또한 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 전무는 "삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다"며, "고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5GㆍAIㆍ메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 밝혔다.